کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151139 | 1524436 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dislocation density control in high-purity germanium crystal growth
ترجمه فارسی عنوان
کنترل تراکم جابجایی در رشد کریستال ژرمانیوم با خلوص بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
High-purity germanium (HP-Ge) crystals were grown in hydrogen atmosphere by Czochralski method. The control of dislocation density in high-purity germanium crystal growth was studied. It could be shown that by control of the temperature gradient during crystal growth the dislocation density distribution in the crystal can be controlled to a degree which allows for the growth of crystal fulfilling detector requirements. Crystals with diameters of 3.5 and 9Â cm were grown according to the relationship between axial temperature gradient and dislocation density to be able to meet the requirements of detector fabrication by having dislocation density in the range 2000-7000Â cmâ2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 54-58
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 54-58
نویسندگان
Guojian Wang, Yutong Guan, Hao Mei, Dongming Mei, Gang Yang, Jayesh Govani, Muhammad Khizar,