کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8161072 | 1525114 | 2018 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of Cs ion implanted GaN by DLTS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Deep level transient spectroscopy (DLTS) was used to characterise Cs implanted GaN grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE). This implantation was done at room temperature using energy of 360Â keV to a fluence of 10-11Â cmâ2. A defect with activation energy of 0.19Â eV below the conduction band and an apparent capture cross section of 1.1 Ã 10-15Â cm2 was induced. This defect has previously been observed after rare earth element (Eu, Er and Pr) implantation. It has also been reported after electron, proton and He ion implantation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 535, 15 April 2018, Pages 96-98
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 535, 15 April 2018, Pages 96-98
نویسندگان
P.N.M. Ngoepe, W.E. Meyer, F.D. Auret, E. Omotoso, T.T. Hlatshwayo, M. Diale,