Effect of a gap opening on the conductance of graphene with magnetic barrier structures

در مطالعه حاضر، تونلینگ کلاین در یک گرافن گرافیکی تک لایه با استفاده از روش ماتریس انتقال در میدان مغناطیسی معمولی برای یک و دو مانع مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفت. محاسبات نشان می دهد که انتقال الکترون از طریق یک مانع مغناطیسی به زاویه های مثبت منحرف می شود و به دلیل اینکه میدان مغناطیسی و به ویژه شکاف انرژی افزایش می یابد، کاهش می یابد. این کاهش حتی در زمینه های بزرگتر نیز مهم تر است، پس پس از رسیدن به مقدار مشخصی از شکاف انرژی، محفظه مؤثر برای فرمیون ها و سرکوب تونلینگ کلاین به ویژه در بروز عادی به دست می آید و هدایت صفر می شود. بر خلاف یک مانع، فرایند تونل زنی از طریق دو مانع مغناطیسی باعث احتمال انتقال متقارن در برابر زاویه حاد می شود. حتی برای شکاف های انرژی کم، احتمال انتقال الکترون الکترونیک افزایش می یابد که به نوبه خود باعث کاهش هدایت کل از طریق تغییرات مناسب در مقدار میدان مغناطیسی و شکاف انرژی می شود. به طور کلی، به این نتیجه رسیده است که محدود کردن الکترون ها در انتقال نامتقارن از طریق یک مانع بهتر از دو موانع انجام می شود.