کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9618711 | 49464 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phosphorus-diffused silicon solar cell emitters with plasma enhanced chemical vapor deposited silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phosphorus-diffused silicon solar cell emitters with plasma enhanced chemical vapor deposited silicon carbide Phosphorus-diffused silicon solar cell emitters with plasma enhanced chemical vapor deposited silicon carbide](/preview/png/9618711.png)
چکیده انگلیسی
We propose the use of annealed phosphorus doped amorphous silicon carbide layers (a-SiC:H(n)) deposited by PECVD as emitters in solar cells and explore the effect of the annealing time on the emitter saturation current density (Joe). We use the quasy-steady state photoconductance method to determine the dependence of effective lifetime on excess carrier density and from these measurements we obtain Joe values in the range of 300 fA cmâ2 for sheet resistances around 100 Ω⧸sq. Finally, we obtain effective surface recombination velocity values around 104 cm sâ1 by fitting the measured Joe values with PC1D simulated ones.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 87, Issues 1â4, May 2005, Pages 667-674
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 87, Issues 1â4, May 2005, Pages 667-674
نویسندگان
A. Orpella, M. Vetter, R. Ferré, I. MartÃn, J. Puigdollers, C. Voz, R. Alcubilla,