کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670326 | 1450401 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Potential of air gap technology by selective ozone/TEOS deposition: Effects of air gap geometry on the dielectric constant
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Air gaps offer an interesting alternative to low-k or ultra-low-k materials in order to reduce the line-to-line capacitance in a metallization system. A possible approach for air gap fabrication is based upon selective ozone/TEOS deposition. Feasibility of this method will be shown and capacitance reductions by almost 50% will be demonstrated. The potential for further reduction can be scanned by theoretical modelling of the line-to-line capacitance. The results indicate that effective k values below 2 are reachable by air gaps even if conventional materials like oxide and nitride are used in the process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 362-367
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 362-367
نویسندگان
A. Stich, Z. Gabric, W. Pamler,