کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670352 | 1450401 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: 3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology 3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology](/preview/png/9670352.png)
چکیده انگلیسی
3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology is reported in this paper. NMOS and PMOS metal gate transistor devices have been further processed by forming deep trench inter-chip-vias and by thinning the substrate to 25 μm remaining silicon thickness. No degradation of transistor behavior found due to the additional 3d-processing steps. Results of the process flow and electrical measurements of transistors on thin silicon are shown in this paper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 529-533
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 529-533
نویسندگان
Robert Wieland, Detlef Bonfert, Armin Klumpp, Reinhard Merkel, Lars Nebrich, Josef Weber, Peter Ramm,