کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670385 | 1450402 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current conduction mechanism in TiO2 gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Current conduction mechanism in TiO2 gate dielectrics Current conduction mechanism in TiO2 gate dielectrics](/preview/png/9670385.png)
چکیده انگلیسی
Electrical properties of titanium oxide (TiO2) deposited on strained-Si heterolayers by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from an organo-metallic precursor titanium isopropoxide (TTIP), have been investigated in Al/TiO2/strained-Si structures by capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. For as-deposited layers, which exhibit high level of interface states and leakage current, both Poole-Frenkel (PF) and Schottky emission (SE) effects govern the conduction mechanism. After post deposition annealing in pure nitrogen ambient at 400 °C, the conduction mechanism changes and the interface state density reduces by an order of magnitude. It is found that after annealing, only Schottky emission dominates the conduction mechanism at a low electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 188-193
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 188-193
نویسندگان
S. Chakraborty, M.K. Bera, S. Bhattacharya, C.K. Maiti,