کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670388 | 1450402 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ge-channel p-MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Germanium MOS capacitors with a thin high-k (ZrO2) dielectric (EOT 2.2Â nm) were fabricated on epitaxial strained-Ge grown on relaxed-SiGe substrates. Strained-Ge material parameters were extracted from the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of MOS capacitors and were used in the simulation of strained-Ge channel p-MOSFETs with high-k gate dielectric. The simulated devices exhibited a sub-100Â mV/decade subthreshold voltage swing and a low gate leakage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 206-211
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 206-211
نویسندگان
S.K. Mandal, S. Chakraborty, C.K. Maiti,