کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9670388 1450402 2005 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ge-channel p-MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Ge-channel p-MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics
چکیده انگلیسی
Germanium MOS capacitors with a thin high-k (ZrO2) dielectric (EOT 2.2 nm) were fabricated on epitaxial strained-Ge grown on relaxed-SiGe substrates. Strained-Ge material parameters were extracted from the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of MOS capacitors and were used in the simulation of strained-Ge channel p-MOSFETs with high-k gate dielectric. The simulated devices exhibited a sub-100 mV/decade subthreshold voltage swing and a low gate leakage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2–4, August 2005, Pages 206-211
نویسندگان
, , ,