دانلود مقالات ISI درباره دی الکتریک گیت بالا + ترجمه فارسی

Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Atomic-layer-deposition; Interface stability; Phase separation; Annealing temperature;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Implementation of nanoscale circuits using dual metal gate engineered nanowire MOSFET with high-k dielectrics for low power applications

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Dual metal gate engineering; Junctionless nanowire MOSFET; High-k gate dielectric; Implementation of inverter circuits using the device for different gate dielectrics and delay decreases for high-k dielectrics than SiO2

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Atomic-layer-deposition; Electrical properties; Carrier transportation mechanism; Incorporation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Comparison of HfAlO, HfO2/Al2O3, and HfO2 on n-type GaAs using atomic layer deposition

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; HfO2/Al2O3; HfAlO; Frequency dispersion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A 2-D analytical threshold-voltage model for GeOI/GeON MOSFET with high-k gate dielectric

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; GeOI/GeON MOSFETs; Threshold voltage; Ultra-thin-body; High-k gate dielectric

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Annealing temperature modulated interfacial chemistry and electrical characteristics of sputtering-derived HfO2/Si gate stack

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Interface thermal stability; Sputtering; Electrical properties; Leakage current mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effects of nitrogen incorporation by plasma immersion ion implantation on electrical characteristics of high-k gated MOS devices

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; HfOxNy; Nitridation treatment; Plasma immersion ion implantation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Modulation of the structural and optical properties of sputtering-derived HfO2 films by deposition power

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; HfO2 thin films; Optical properties; Sputtering; Band gap

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Charge trapping induced frequency-dependence degradation in n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; TiN metal gate; Electron trapping; Threshold voltage instability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Room-temperature solution-processed high-k gate dielectrics for large area electronics applications

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Organic circuit; Anodization; Low temperature circuit; High-k gate dielectric

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrical characteristics of SiGe channel MOS devices with high-k/metal gate incorporated with nitrogen by plasma immersion ion implantation

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; SiGe; Ge content; PIII nitridation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with La2O3 gate dielectric annealed in different ambient

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Germanium; Metal-oxide-semiconductor; Lanthanide oxide; High-k gate dielectric; Post-deposition annealing

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Atomic layer deposited HfO2 gate dielectrics for low-voltage operating, high-performance poly-(3-hexythiophene) organic thin-film transistors

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Atomic layer deposition; Organic thin-film transistor; Field-effect mobility; Poly-(3-hexythiophene)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of La-doped HfO2 gate dielectrics by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; La-doped HfO2; MOCVD; High-k gate dielectric; Mixing precursors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La2O3/silicate gate dielectric

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Lanthanum oxide; Silicate; Hard X-ray photoelectron spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth characteristics and electrical properties of La2O3 gate oxides grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; La2O3; High-k gate dielectric; T-ALD; PE-ALD; La(iPrCp)3; Growth characteristics; Electrical properties

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effects of Ge content in SiGe channel on electrical characteristics of high-k gated MOS device

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; SiGe; Ge content

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Reliability of ultra-thin titanium dioxide (TiO2) films on strained-Si

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Strained-Si; Charge trapping; Oxide reliability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Charge trapping characteristics in high-k gate dielectrics on germanium

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Ge; Charge trapping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural optimization of HfTiSiO high-k gate dielectrics by utilizing in-situ PVD-based fabrication method

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; 77.55.+f; 73.40.Qv; 85.30.−z; High-k gate dielectric; HfTiSiO; In-situ process; Ti diffusion; Interface reaction; Titanium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reliability assessment of SiO2/ZrO2 stack gate dielectric on strained-Si/Si0.8Ge0.2 heterolayers under dynamic and AC stress

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Strained-Si; Dynamic stress; Oxide reliability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Recessed channel and/or buried source/drain structures for improvement in performance of Schottky barrier source/drain transistors with high-k gate dielectrics

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; 85.30.−z; 85.30.De; 85.30.TvSchottky barrier source/drain transistor; High-k gate dielectric; Current drivability; Cutoff characteristic; Electric field strength

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; 77.55.+f; 73.40Qv; High-k gate dielectric; HfSiO film; Electron beam evaporation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High frequency characterization and continuum modeling of ultrathin high-k (ZrO2) gate dielectrics on strained-Si

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Strained-Si; Continuum model; PECVD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; High-k gate dielectric; Metal gate electrode; Epitaxial gate dielectric; Gadolinium oxide (Gd2O3); CMOS integration; Silicon on insulator (SOI)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Degradation of current drivability of Schottky barrier source/drain transistors induced by high-k gate dielectrics and possible measures to suppress the phenomenon

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Schottky barrier source/drain transistor; High-k gate dielectric; Current drivability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfOxNy gate dielectric on Ge substrate

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Germanium; high-k gate dielectric; HfOxNy; post-deposition-annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth mechanism of TiN film on dielectric films and the effects on the work function

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; MOSFET; Metal gate electrode; High-k gate dielectric; TiN; Atomic layer deposition; Work function;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ge-channel p-MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics

Keywords: دی الکتریک گیت بالا; Strained-Ge; SiGe; High-k gate dielectric; ZrO2; Ge-MOSFET simulation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه