کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670453 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfOxNy gate dielectric on Ge substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We systematically investigated the effect of post-deposition-annealing (PDA) on the electrical characteristics of Ge MOS capacitors with hafnium-oxynitride gate dielectric. The higher PDA temperature and longer PDA time was found to obtain the lower equivalent oxide thickness (EOT) of HfOxNy/Ge gate stack, however, with a larger hysteresis width. A lower EOT of 19.5 Ã
with a low leakage current of 1.8 Ã 10â5A/cm2 at VG = â1V was achieved after 600 °C annealing for 5 min. The improved capacitor properties after the PDA may be closely related to the different compositions and thicknesses of the resultant interfacial layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 30-33
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 30-33
نویسندگان
Chao-Ching Cheng, Chao-Hsin Chien, Ching-Wei Chen, Shih-Lu Hsu, Ming-Yi Yang, Chien-Chao Huang, Fu-Liang Yang, Chun-Yen Chang,