کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7941845 | 1513202 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of HfAlO, HfO2/Al2O3, and HfO2 on n-type GaAs using atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Different high-permittivity (high-k) gate dielectric structures of HfO2, HfAlO, and HfO2/Al2O3 deposited on HF-etched n-GaAs using ALD have been investigated. It has been demonstrated that the stacked structure of HfO2/Al2O3 has the lowest interface state density of 8.12Â ÃÂ 1012eVâ1Â cmâ2 due to the “self-cleaning” reaction process, but the sample of HfAlO shows much better frequency dispersion and much higher dielectric permittivity extracted from the C-V curves. The investigation reveals that the electrical properties of gate dielectrics are improved by introducing alumina into HfO2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 54-57
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 54-57
نویسندگان
Bin Lu, Hongliang Lv, Yuming Zhang, Yimen Zhang, Chen Liu,