کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670471 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of high and low k dielectrica using low-energy Time of Flight Elastic Recoil Detection
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A low-energy Time of Flight Elastic Recoil Detection set-up has been developed for the characterization of ultra-thin films, e.g. high and low k dielectrica. The performance is demonstrated by sample analysis of low k materials as they normally contain H, C, O, and Si. The excellent depth resolution is shown on a 6 nm HfSiO and a multistack of 6 nm SiO2, 6 nm Si3N4, 2 nm SO2 on top of Si
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 106-109
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 106-109
نویسندگان
B. Brijs, T. Sajavaara, S. Giangrandi, K. Arstila, A. Vantomme, W. Vandervorst,