کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670481 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of gadolinium oxide films for advanced MOS structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated properties of insulating gadolinium oxide (Gd2O3) films in connection with the replacement of silicon oxide (SiO2) gate dielectrics in new generation of CMOS devices. The Gd2O3 layers were grown using metal organic chemical vapour deposition at temperature 500 °C. X-ray diffraction showed polycrystalline Gd2O3 films. X-ray photoelectron spectroscopy revealed interface layer, presumably gadolinium silicate. Capacitance-voltage characteristics were used to analyse electrical properties of Ru/Gd2O3/Si structures. The analysis yielded dielectric constant κ = 11.4 and interfacial layer thickness tIF = 1.7 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 154-157
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 154-157
نویسندگان
R. Lupták, K. Fröhlich, A. Rosová, K. HuÅ¡eková, M. Ťapajna, D. MachajdıÌk, M. Jergel, J.P. Espinós, C. Mansilla,