کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670494 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reduction of fixed charges in atomic layer deposited Al2O3 dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reduction of fixed charges in atomic layer deposited Al2O3 dielectrics Reduction of fixed charges in atomic layer deposited Al2O3 dielectrics](/preview/png/9670494.png)
چکیده انگلیسی
In this work we present an original study that shows how to reduce the negative fixed charges of atomic layer deposited Al2O3. The influence of the aluminium oxide growth temperature on this charge is studied here for the first time. The effect of annealing is also considered, and an optimal process is proposed. Relationship with H content is investigated as well. Finally, influences of these charges on the Al2O3 transport properties are analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 210-213
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 210-213
نویسندگان
J. Buckley, B. De Salvo, D. Deleruyelle, M. Gely, G. Nicotra, S. Lombardo, J.F. Damlencourt, Ph. Hollinger, F. Martin, S. Deleonibus,