کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670515 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MIM capacitors using amorphous high-k PrTixOy dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MIM capacitors using amorphous high-k PrTixOy dielectrics MIM capacitors using amorphous high-k PrTixOy dielectrics](/preview/png/9670515.png)
چکیده انگلیسی
Capacitor performance of amorphous PrTixOy dielectric films deposited on TiNx metal electrodes to form MIM structures with Al top electrodes is demonstrated for the first time. The PrTixOy capacitors were fabricated within the temperature budget of back end processes. Preliminary data on the composition of the dielectric layers and the interaction of water with the films was obtained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The I(V) and C(V) device characteristics are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 313-316
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 313-316
نویسندگان
Ch. Wenger, R. Sorge, T. Schroeder, A.U. Mane, G. Lippert, G. Lupina, J. DÄ
browski, P. Zaumseil, H.-J. Muessig,