کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670525 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties and dynamic behavior of electron traps in HfO2/SiO2 stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper focuses on electron traps in HfO2/SiO2 stacks. Three issues are addressed: the impact of measurement techniques on trapping, the dependence of trapping on the conduction mechanism, and the trapping kinetics. It will be shown that the traditional 'DC Id â¼Â Vg' technique can underestimate the trap density. Trapping is sensitive to the conduction mechanism. The trap-assisted conduction, such as SILC and thermally enhanced conduction, contributes little to the trapping. Possible explanations for this phenomenon will be explored. Trapping follows the first order model and the capture cross section of traps is estimated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 366-369
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 366-369
نویسندگان
C.Z. Zhao, M.B. Zahid, J.F. Zhang, G. Groeseneken, R. Degraeve, S. De Gendt,