کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670534 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Point defects in HfO2 high K gate oxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents calculations of the energy levels of the oxygen vacancy and oxygen interstitial defects in HfO2 using methods not needing a band gap correction. The levels are aligned to those of the Si channel using the known band offsets. The oxygen vacancy gives energy levels in the upper gap of HfO2 and just above the Si gap. The vacancy is identified as the main electrically active trap in HfO2. The oxygen interstitial gives levels just above the oxide valence band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 408-411
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 408-411
نویسندگان
K Xiong, J. Robertson,