کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670644 | 1450405 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of sub-micron patterns on GaAs using a HSQ etching mask
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Realization of sub-micron patterns on GaAs using a HSQ etching mask Realization of sub-micron patterns on GaAs using a HSQ etching mask](/preview/png/9670644.png)
چکیده انگلیسی
Hydrogen SilSesQuioxane is now known for its possibilities as negative tone e-beam resist. Good quality patterning can be obtained with low roughness. We report here the transfer of this pattern to a GaAs layer. Our aim is to fabricate nano-photonic structures with the lowest roughness and the most vertical walled profiles by means of GaAs reactive ion etching technique using SiCl4/Ar chemistry. To do so, the etching resistance of the HSQ mask needs to be strenghten and an optimization of the etching step is necessary.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issues 3â4, April 2005, Pages 210-216
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 77, Issues 3â4, April 2005, Pages 210-216
نویسندگان
Denis Lauvernier, Sophie Garidel, Christiane Legrand, Jean-Pierre Vilcot,