کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699124 | 1461440 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of the poly/epi kinetic ratio in SiH4 based chemistry for new CMOS architectures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we studied the effect of the deposition temperature, partial pressure and crystallite texture on the poly/epi growth rate ratio by decomposition of silane. Deposition was performed by rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) in the temperature range 590
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 21-24
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 21-24
نویسندگان
Alexandre Talbot, Julien Arcamone, Cyril Fellous, Florence Deleglise, Didier Dutartre,