کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699167 | 1461440 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simultaneous optical measurement of Ge content and Boron doping in strained epitaxial films using a novel data-analysis technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The Ge-fractions found were in good agreement with XRD and SIMS whilst the calculated “doping parameter” was found to follow a monotonic relationship with changes in Boron concentration in each case.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 261-266
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 261-266
نویسندگان
Stephen Morris, Paul Fougeres, Stéphanie Bozzo-Escoubas, Sylvie Bodnar, Stephane Gaillard,