کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789614 | 1512912 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Suppression of the unconventional metallic behavior by gate voltage in MWNT device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We observed an ambipolar behavior in multiwalled carbon nanotubes (MWNT) in a back-gate configuration, which allowed us to perform systematic inspection of the low-temperature transport properties against gate voltage. Power-law behaviors in temperature and bias-dependent conductance, disappeared when a high gate voltage was applied, and conductance became temperature- and bias independent. This indicates a gate-induced transformation from the unconventional to the normal metallic states in MWNT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 29, Issues 3â4, November 2005, Pages 698-701
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 29, Issues 3â4, November 2005, Pages 698-701
نویسندگان
T. Kanbara, Y. Iwasa, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi,