کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829304 | 1524487 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE growth of β-FeSi2 epitaxial film on hydrogen terminated Si (1 1 1) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
To study the effect of Fe/Si ratio on the film quality, a series of epilayers were grown at 580 °C with various Fe/Si ratios from 2 to 0.4. The stoichiometric Fe/Si flux ratio of 0.5 was confirmed to be an essential condition to grow single crystalline β-FeSi2 epitaxial films at 580 °C, while the metallic ε-FeSi phase grew predominantly at 480 °C. The observations of transmission electron microscope (TEM) and reflective high-energy electron diffraction (RHEED) verified the epitaxial growth of β-FeSi2 films on Si (1 1 1).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 285, Issues 1â2, 15 November 2005, Pages 284-294
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 285, Issues 1â2, 15 November 2005, Pages 284-294
نویسندگان
S.Y. Ji, G.M. Lalev, J.F. Wang, J.W. Lim, J.H. Yoo, D. Shindo, M. Isshiki,