کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829307 | 1524488 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ordered InAs quantum dots on pre-patterned GaAs (0Â 0Â 1) by local oxidation nanolithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ordered InAs quantum dot (QD) arrays have been obtained on pre-patterned GaAs (0Â 0Â 1) substrates by atomic force microscopy (AFM) local oxidation nanolithography. Prior to InAs molecular beam epitaxy (MBE) deposition, an ordered square array of nanoholes is formed at the GaAs pre-patterned surface following in situ etching with atomic hydrogen. A low substrate temperature is maintained during the whole process in order to avoid pattern smoothing. Our results show that the density and dimensions of the nanoholes on the GaAs surface determine InAs QD size, nucleation site and InAs dose necessary for their formation. As a function of the geometrical parameters of the nanohole array, we can obtain either ordered 2D arrays of separated QD, closely packed QD or localized areas for QD formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 3â4, 1 November 2005, Pages 313-318
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 3â4, 1 November 2005, Pages 313-318
نویسندگان
J. MartÃn-Sánchez, Y. González, L. González, M. Tello, R. GarcÃa, D. Granados, J.M. GarcÃa, F. Briones,