کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829793 | 1524499 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Negative differential resistance of pseudomorphic InGaAs quantum-wire FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pseudomorphic trench-type InGaAs/InAlAs quantum-wire field-effect transistors (QWR-FETs) are realized on (3Â 1Â 1)A InP V-groove substrates by selective molecular beam epitaxy. Negative differential resistance (NDR) spectra are clearly observed in the 50-240Â K temperature range for the In0.7Ga0.3As QWR-FET, and up to 260Â K for the In0.8Ga0.2As QWR-FET. These temperature ranges are higher than that of a lattice-matched QWR-FET, and this is thought to be due to the higher electron mobility in the pseudomorphic QWR layer. The NDR temperature range increases as the QWR In content increases and the FET gate length decreases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 94-97
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 94-97
نویسندگان
T. Sugaya, T. Yamane, M. Ogura, K. Komori, K. Yonei,