کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829989 | 1524501 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of crack-free GaN on Si(1Â 1Â 1) with graded AlGaN buffer layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hexagonal GaN films on Si(1 1 1) substrates have been grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). High-temperature AlN buffers provided a reliable diffusion barrier to avoid meltback etching. By introducing a thick, graded AlGaN buffer layer, the critical thickness for cracking has been increased to at least 2μm. The films have been characterized by optical microscopy, transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 276, Issues 3â4, 1 April 2005, Pages 415-418
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 276, Issues 3â4, 1 April 2005, Pages 415-418
نویسندگان
A. Able, W. Wegscheider, K. Engl, J. Zweck,