| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 9830128 | 1524504 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												Semiconductor substrates with variable band gaps and lattice constants are key enables for advanced electronic, optoelectronic and photovoltaic devices. Some of the recent advances made in the area of large diameter, compositionally homogeneous, bulk ternary crystal growth of GaInSb, GaInAs, GaInP, AlInSb, and InAsSb will be discussed. Characteristics of infrared photodetectors fabricated using ternary substrates have been presented.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 106-112
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 106-112
نویسندگان
												P.S. Dutta,