کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9830128 1524504 2005 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review
چکیده انگلیسی
Semiconductor substrates with variable band gaps and lattice constants are key enables for advanced electronic, optoelectronic and photovoltaic devices. Some of the recent advances made in the area of large diameter, compositionally homogeneous, bulk ternary crystal growth of GaInSb, GaInAs, GaInP, AlInSb, and InAsSb will be discussed. Characteristics of infrared photodetectors fabricated using ternary substrates have been presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1–2, 15 February 2005, Pages 106-112
نویسندگان
,