کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830128 | 1524504 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Semiconductor substrates with variable band gaps and lattice constants are key enables for advanced electronic, optoelectronic and photovoltaic devices. Some of the recent advances made in the area of large diameter, compositionally homogeneous, bulk ternary crystal growth of GaInSb, GaInAs, GaInP, AlInSb, and InAsSb will be discussed. Characteristics of infrared photodetectors fabricated using ternary substrates have been presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 106-112
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 106-112
نویسندگان
P.S. Dutta,