کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830149 | 1524504 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LEC- and VGF-growth of SI GaAs single crystals-recent developments and current issues
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The paper reviews the progress made in crystal growth of semi-insulating GaAs by liquid encapsulation Czochralski and vertical gradient freeze techniques during the last few years under the continuous need for cost reduction of the production process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 283-291
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 283-291
نویسندگان
M. Jurisch, F. Börner, Th. Bünger, St. Eichler, T. Flade, U. Kretzer, A. Köhler, J. Stenzenberger, B. Weinert,