کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830333 | 1524507 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP (0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP (0Â 0Â 1) Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP (0Â 0Â 1)](/preview/png/9830333.png)
چکیده انگلیسی
Thickness effect of immiscible alloy InAlAs as matrix layer on the morphology of InAs nanostructure grown on InAlAs/InP (0Â 0Â 1) by solid-source molecular-beam epitaxy has been studied. Experiments demonstrate that InAs nanostructure grown on thin InAlAs matrix layer forms randomly distributed quantum dot, whereas, grown on thick InAlAs matrix layer forms one-dimension ordered mixture of quantum wire and quantum dot. This drastic modification in the nanostructure morphology is attributed to the generation of composition modulation in the immiscible InAlAs alloy with the increase of the layer thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 494-499
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 494-499
نویسندگان
F.A. Zhao, Y.H. Chen, X.L. Ye, B. Xu, P. Jin, J. Wu, Z.G. Wang, C.L. Zhang,