![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Quintuple layer Bi2Se3 thin films directly grown on insulating SiO2 using molecular beam epitaxy
Keywords: 81.15.-Z; Bismuth selenide; Topological insulator; Molecular beam epitaxy; 68.35.bt; 68.37.Ef; 81.15.-z;