دانلود مقالات ISI درباره A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا + ترجمه فارسی

Atomic ordering in GaAsSb (0 0 1) grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; 68.37.LP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNxSiNx masks

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10.Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Step-flow growth of ZnO(0 0 0 1) on GaN(0 0 0 1) by metalorganic chemical vapor epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 68.55.Jk; 78.66.Hf; 81.15.Gh; 87.64.Dz; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MgO films grown on yttria-stabilized zirconia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 61.10.Nz; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Growth models; B1. Oxides; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Zn irradiation effects in MBE growth of MgSe/BeZnSeTe II-VI compound superlattices on InP substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.80.Lj; 68.65.Cd; 78.55.−m; 78.55.Et; 78.66.Hf; 78.67.Pt; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step AlN buffer layer

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. AlN buffer; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10. Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Study on crystal growth of large size Nd3+:Gd3Ga5O12 (Nd3+:GGG) by Czochralski method

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.Nz; 81.10.Fq; 78.55.HxA1. Crystal morphology; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Czochralski method; B1. Gadolinium compounds; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of bulk grown GaN and AlN single crystal materials

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.72.Ff; 81.10.Bk; 81.10.Dn; 81.05.Ea; 07.85.Jy; 61.10.Nz; 41.60.ApA1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A2. Single crystal growth; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nearly stress-free substrates for GaN homoepitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Kk; 61.10.NzA1. Cathodoluminescence; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A1. Stress; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. III-Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of 1.55μm GaInNAs(Sb) double quantum wells with bright and narrow photoluminescence

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.10.Nz; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Transmission electron microscopy; A2. Secondary ion mass spectrometry; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaInNAsSb; B2. InGaNAsSb;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Early stage growth behavior of laser-deposited heteroepitaxial ZnO films on Al2O3 (0 0 0 1)

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 68.55.Jk; 61.10.Nz; 81.15.Fg; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlation between nucleation, morphology and residual strain of InN grown on Ga-face GaN (0 0 0 1)

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial Fe3Si films stabilized on GaAs(1 1 3)A substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Hi; 75.50.Bb; 75.70.-i; A3. Molecular beam epitaxy; A1. High resolution X-ray diffraction; B2. Magnetic materials; B2. Fe3Si; B2. GaAs(1 1 3)A;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of N incorporation in InGaAs and GaAs epilayers on GaAs using solid source molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 78.55.Cr; 81.15.Hi; 68.49.Sf; 68.37.Yz; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaAsN; B1. InGaAsN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comprehensive characterization of MOVPE-grown AlGaAs/AlAs distributed Bragg reflector structures by optical reflectance, X-ray diffraction and atomic force microscopy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Optical reflectivity; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting aluminium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه