دانلود مقالات ISI درباره A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا + ترجمه فارسی

Influences of two-step growth and off-angle Ge substrate on crystalline quality of GaAs buffer layers grown by MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metaloganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Defect creation in InGaAs/GaAs multiple quantum wells-I. Structural properties

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. High resolution x-ray diffraction; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Indium gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Stresses; A1. Crystal structure; A1. Line defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Beware of poor-quality MgO substrates: A study of MgO substrate quality and its effect on thin film quality

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Solid phase epitaxy; B1. Magnesium oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Modelling of X-ray diffraction curves for GaN nanowires on Si(1 1 1)

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nanostructures; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Correlation between soft annealing conditions and structural, microstructural, morphological, and optical properties of CuInS2 thin films prepared by sulfurization of stacked precursor

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of AlN using a high temperature hot-wall reactor

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Anomalous strain behavior on EuTe self-assembled islands

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; B1. EuTe; B2. Magneto-optic materials; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Nanostructures; A1. High resolution X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Self-limiting growth when using trimethyl bismuth (TMBi) in the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs1−yBiy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution x-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystal growth, structural, optical and dielectric studies of ammonium p-toluenesulfonate

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Nonlinear optical materials; B3. Nonlinear optical;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Studies on the growth, thermal and optical properties of 4-aminopyridinium p-aminobenzoate dihydrate single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Low temperature growth of GaAs1−yBiy epitaxial layers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting Gallium Arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlN heteroepitaxy on sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy using low temperature nucleation layers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of AlN by pulsed and conventional MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth, structural, thermal, dielectric, mechanical and optical characterization of 2, 3-Dimethoxy-10-oxostrychnidinium hydrogen oxalate dihydrate single crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 32 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE-grown AlxGa1−xAsyP1−y strain compensating layers on GaAs

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. In-situ curvature measurements; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Micro-characterization and three dimensional modeling of very large waveguide arrays by selective area growth for photonic integrated circuits

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Computer simulation; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Enhancement of epitaxial LaNiO3 electrode on the ferroelectric property of La-doped BiFeO3/SrTiO3 artificial superlattice structure by rf sputtering

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition process; B1. Oxide; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of rare earth ions on the properties of glycine phosphite single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Determination of heteroepitaxial layer relaxation at growth temperature from room temperature X-ray reciprocal space maps

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Misfit strain relaxation; A3. Heteroepitaxy; B2. III–V on Si; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of GaN underlayer thickness on structural, electrical and optical properties of InN films grown by PAMBE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Single crystal growth of Ga2(SexTe1−x)3Ga2(SexTe1−x)3 semiconductors and defect studies via positron annihilation spectroscopy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. High resolution x-ray diffraction; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of defects on strain state in nonpolar a-plane GaN

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of CsI:Tl crystals in carbon coated silica crucibles by the gradient freeze technique

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Bridgman technique; B1. Halides; B2. Scintillator materials; B3. Scintillators

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of cerium(III)-doped ADP crystals and characterization studies

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solution; B1. Phosphates; B2. Non-linear optic materials; B3. Nonlinear optical;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Enhancement of structural perfection of alkali halide single crystals by doping with copper

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Czochralski method; B1. Inorganic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (112̄2) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution x-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Threading dislocation; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN on Si substrate; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterisation of NiSb(0001)/GaAs(111)B epitaxial films

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Surface structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(0 0 1) substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and electrical properties of nonpolar and polar Ga-doped ZnO thin films on LaAlO3 and SrTiO3 substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A1. Hall measurement; A3. Pulsed laser deposition; B1. Ga-doped ZnO; B2. Semiconducting II-VI materials.;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

X-ray diffraction analysis of step-graded InxGa1−xAs buffer layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reciprocal space mapping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InGaAs buffer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Non-polar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Material characteristics of InGaN based light emitting diodes grown on porous Si substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconductor III-V materials; B3. Light emitting diode;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiNx interlayers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. In situ nano-masking; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Aluminium gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of buffer layers on the microstructure of MOVPE grown a-plane InN

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Non-polar; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of n-GaAs layer on a rough surface of p-Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE) for photovoltaic applications

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photocurrent spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystals of the hydrogenase maturation factor HypF N-terminal domain grown in microgravity, display improved internal order

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Biocrystallization; A1. Microgravity conditions; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Proteins;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative structure and morphology study of Zn(1−x)CdxO solid solution grown on ZnO and different sapphire orientations

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Zn(1−x)CdxO solid solutions; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Scanning electron microscopy; A1. Atomic force microscopy; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. II–VI Material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaSe single crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal morphology; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth models; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Isoprenoid-chained lipid β-XylOC16+4—A novel molecule for in meso membrane protein crystallization

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. In meso crystallization; B1. Membrane proteinsbR, bacteriorhodopsin; β-XylOC16+4, 1-O-(3,7,11,15-tetramethylhexadecyl)-β-d-xyloside; MO, monoolein (1-oleoyl-rac-glycerol); OG, n-octyl-β-d-g

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimization of a  -plane (112¯0) InN grown via MOVPE on a-plane GaN buffer layers on r  -plane (11¯02) sapphire

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Indium nitride; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Point defects; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Well width study of InGaN multiple quantum wells for blue–green emitter

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Segregation; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low press; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Unidirectional growth of l-asparagine monohydrate single crystal: First time observation of NLO nature and other studies of crystalline perfection, optical, mechanical and dielectric properties

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Single crystal growth; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of InAsSb/InAs MQWs on GaSb for mid-IR photodetector applications

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B1. Antimonides68.37.LP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Seeded growth of AlN bulk crystals in m- and c-orientation

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A1. X-ray topography; A2. Growth from vapor; A2. Seeded vapor growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه