کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793313 | 1023672 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Growth models - A1 مدل های رشدA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. High resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA1. Reflection high energy electron diffraction - A1 پراش الکترونی انرژی بالا بازتابA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Nitrides - B1 نیتریت ها
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN MBE growth of atomically smooth non-polar cubic AlN](/preview/png/1793313.png)
چکیده انگلیسی
Atomically smooth cubic AlN (c-AlN) layers were grown by plasma assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) using freestanding 3C–SiC substrates. A model based on reflection high electron energy diffraction (RHEED) transients has been developed to lead the way to optimal growth conditions. Confirmation of the cubic structure of the AlN layers was gained by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) measurements yielding a lattice parameter of 4.373 Å. Finally atomic force microscopy (AFM) scans revealed an atomically smooth surface with a roughness of 0.2 nm RMS.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 9, 15 April 2010, Pages 1500–1504
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 9, 15 April 2010, Pages 1500–1504
نویسندگان
T. Schupp, K. Lischka, D.J. As,