![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Homo-epitaxial growth of high crystal quality GaN thin films by plasma assisted-molecular beam epitaxy
Keywords: A1 پراش الکترونی انرژی بالا بازتاب; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Plasma-assisted molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;