| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1791525 | 1524472 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterisation of NiSb(0001)/GaAs(111)B epitaxial films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Surface structure - A1 ساختار سطحA1. High resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA1. Reflection high energy electron diffraction - A1 پراش الکترونی انرژی بالا بازتابA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Antimonides - B1 آنتیبادیدهاB2. Magnetic materials - B2 مواد مغناطیسی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Epitaxial growth of high quality NiSb on GaAs is shown for the first time. ⺠Strain relaxation is investigated experimentally and theoretically. ⺠Ga segregation is suppressed and the native oxide is more benign than on MnSb. ⺠The electronic structure of NiSb is reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 357, 15 October 2012, Pages 1-8
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 357, 15 October 2012, Pages 1-8
نویسندگان
James D. Aldous, Christopher W. Burrows, Ian Maskery, Matthew Brewer, David Pickup, Marc Walker, James Mudd, Thomas P.A. Hase, Jon A. Duffy, Stuart Wilkins, Cecilia Sánchez-Hanke, Gavin R. Bell,