کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790195 | 1524416 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of incident UV light on the surface morphology of MBE grown GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effects of incident UV light on the surface morphology of MBE grown GaAs Effects of incident UV light on the surface morphology of MBE grown GaAs](/preview/png/1790195.png)
چکیده انگلیسی
Light-assisted molecular beam epitaxy is a promising technique for improving the growth of metastable semiconductor alloys traditionally grown at low temperatures. The effect of photon irradiation on adatom incorporation dynamics is studied for GaAs homoepitaxy on vicinal surfaces. Irradiation is found to increase the temperature at which the growth mode transitions from layer-by-layer island nucleation to step flow growth and to alter the surface morphology. These surprising changes are discussed in the context of modification of adatom diffusion and incorporation processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 413, 1 March 2015, Pages 76-80
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 413, 1 March 2015, Pages 76-80
نویسندگان
Daniel A. Beaton, C. Sanders, K. Alberi,