کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793777 | 1023683 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of InAsSb/InAs MQWs on GaSb for mid-IR photodetector applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the OMVPE growth and characterization of InAsSb/InAs strain balanced multiple quantum wells lattice-matched to GaSb substrates for potential application as mid-infrared detectors for wavelengths beyond 4 μmμm. Detailed transmission electron microscopy measurements were performed to evaluate the degree of Ga and Sb intermixing at the GaSb/InAsSb and InAs/InAsSb interfaces. Photoluminescence emission up to 5 μmμm was observed for superlattice structures with only 15% antimony. The dependence of PL on wavelength is red shifted compared to expectations based on type I band alignment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 14, 1 July 2009, Pages 3563–3567
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 14, 1 July 2009, Pages 3563–3567
نویسندگان
D. Lackner, O.J. Pitts, S. Najmi, P. Sandhu, K.L. Kavanagh, A. Yang, M. Steger, M.L.W. Thewalt, Y. Wang, D.W. McComb, C.R. Bolognesi, S.P. Watkins,