دانلود مقالات ISI درباره A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است + ترجمه فارسی

Growth of AlGaN alloys under excess group III conditions: Formation of vertical nanorods

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Behavior of Ga atoms deposited on GaAs (111)B and (111)A surfaces

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A3. Migration enhanced epitaxy; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface processes; A1. Surface structure; B2. Semiconducting gallium arsenide; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Measurement and control of size and density of type-II ZnTe/ZnSe submonolayer quantum dots grown by migration enhanced epitaxy

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3.Magneto-optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Novel activation process for Mg-implanted GaN

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Doping; A1. Recrystallization; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystalline and electrical characteristics of C60 uniformly doped GaAs layers

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Doping; A1. Transmission electron microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Fullerenes; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characteristics of CuGaSe2 layers grown on GaAs substrates

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Optical microscopy; A3. Characterization; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Solar cells; B2. Semiconductor ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Dislocation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Migration enhanced epitaxy; B2. Semiconducting aluminium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Desorption; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Buffer-layer-enhanced growth of a single-domain LaB6 (1 0 0) epitaxial thin film on a MgO (1 0 0) substrate via pulsed laser deposition

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Crystal structure; A3. Laser epitaxy; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Inorganic compounds; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Area selective epitaxy of InAs on GaAs(0 0 1) and GaAs(1 1 1)A by migration enhanced epitaxy

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Nanostructures; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of low defect density GaP layers on Si substrates within the critical thickness by optimized shutter sequence and post-growth annealing

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of pit-free GaP on Si by suppression of a surface reaction at an initial growth stage

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; 68.55.−J; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Migration enhanced epitaxy; A3 Molecular beam epitaxy; B2 Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterization of heavily Sn-doped GaAs grown by migration-enhanced epitaxy

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; 61.72.Vv; 64.75.+g; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fabrication of organic thin film transistor with MICB-deposited PI insulation layer

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; 72.80.Le.; 73.61.PhA1. Interfaces; A1. Morphological stability; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Organic compounds; B1. Polymers; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Oxygen radical irradiation effect in reactive magnetron sputtering for orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) layers on Si(1 0 0) substrates

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; 68.55.--a; 81.15.Cd; 81.15.Jj; 81.10.AjA1. Growth models; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Orientation selective epitaxy; A3. Reactive sputtering; B1. Oxides; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structural investigations of spatial correlation of CdSe/ZnSe quantum dot stacks grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 مهاجرت epitaxy افزایش یافته است; 81.05.Dz; 81.10.-h; 85.60.Jb; 87.64.Dz; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه