دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی + ترجمه فارسی

HVPE growth of AlxGa1−xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 61.10.Nz; 61:66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Shape-controlled synthesis and optical characterization of chalcopyrite CuInS2 microstructures

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B1. Sulfides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis and optical properties of composition-tunable and water-soluble ZnxCd1−xTe alloyed nanocrystals

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 74.25.Gz; 81.05.Dz; 81.07.−bA1. Characterization; A1. Optical properties; A1. Photoluminescence; B1. Alloys; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Self-assembled quantum dot formation during the growth of In0.4Ga0.6As on GaAs(0 0 1) by metal-organic vapor phase epitaxy: The role of In segregation

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.07.Ta; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Low-dimensional structures; A1. Nanostructures; A1. Segregation; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Liquid-encapsulated Czochralski growth of Ga1−xInxAs single crystals with uniform compositions

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.10.Fq; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Double crucible technique; A2. Liquid-encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Czochralski growth of Ga1−xInxSb single crystals with uniform compositions

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.10.Fq; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Double-crucible technique; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The use of diethylselenide as a less-hazardous source in CuInGaSe2 photoabsorbing alloy formation by selenization of metal precursors premixed with Se

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 73.20.At; 73.30.+y; 73.40.Sx; 85.30.HiA1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Exciton localization and Stokes’ shift in Zn1−xCdxO thin films depending on chemical composition

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 78.55.Et; 78.66.Hf; 81.05.DzA1. Characterization; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Improved structure and performance of the GaAsSb/InP interface in a resonant tunneling diode

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 68.35.Ct; 78.40.Fy; 61.14.Hg; 68.47.Fg; 81.15.GhA1. Low-energy electron diffraction; A1. Reflectance difference spectroscopy; A1. Surface reconstruction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of CuAlSe2(1 1 2)/GaAs(1 0 0) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 68.60.−p; 73.50.−h; 78.55.−m; 81.15.−zA1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTeCdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part II. Effect of programmed temperature changes

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Computer simulation; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part I. Isothermal conditions

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Computer simulation; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A comparison of dominant recombination mechanisms in n-type InAsSb materials

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; A1. Antimonides; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structural and magnetic properties of CdxInyCrzSe4

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 76.30.−v; 61.10.−i; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Single-crystal growth; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ga1−xMnxSb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 61.72.Vv; 61.82.Fk; 75.50.Pp; 81.05.Zx; 81.15.Jj; A1. X-ray diffraction; A3. Ion beam epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Self-template route to Ni3Bi2S2 (parkerite) nanoribbons at mild condition

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.05.Ys; 74.70.Dd; 80.05.−t; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; B1. Sulfides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of BxAl1−xN layers using decaborane on SiC substrates

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Solubility; A2. Single-crystal growth; B1. Nitride; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 81.65.Ps; A1. Substrates; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Template-mediated growth of Cu3SnS4 nanoshell tubes

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 61.66.Fn; 81.10.Dn; 81.16.Be; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study on the properties of CuInSe2 ingots grown from the melt using stoichiometric and non-stoichiometric charges

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81. 10.Fq; A1. Characterization; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Experimental study of the solid-liquid interface dynamics and chemical segregation in concentrated semiconductor alloy Bridgman growth

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 64.70.Dv; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; Growth from the melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه