دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی + ترجمه فارسی

MOVPE growth, optical and electrical characterization of thick Mg-doped InGaN layers

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. MOCVD; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. III–V semiconductors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of CdSiP2 single crystals by double-walled quartz ampoule technique

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B1. CdSiP2; B2. Nonlinear optic materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

In-situ growth monitoring of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for the UV-spectral range

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of single-crystalline bismuth antimony telluride nanoplates on the surface of nanoparticle thin films

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of InSb1−xBix thin films

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Doping; A1. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Suppression of lateral growth in InAs/InAsSb heterostructured nanowires

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Synthesis of high-quality CdSiP2 polycrystalline materials directly from the constituent elements

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. CdSiP2 polycrystal; B2. Nonlinear optic materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural, electric, and optical properties of MgGa2Se4 epilayers grown by hot wall epitaxy method

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B1. MgGa2Se4; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Facilitating growth of InAs–InP core–shell nanowires through the introduction of Al

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature on growth of InGaAs nanowires in selective-area metal–organic vapor-phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Nanostructures; A3. Metal–organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Experimental study of the kinetically-limited decomposition of ZnGeAs2 and its role in determining optimal conditions for thin film growth

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Kinetics; A1. Desorption; A1. Thermodynamics; A3. Thin film; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth optimization and characterization of lattice-matched Al0.82In0.18N optical confinement layer for edge emitting nitride laser diodes

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The impact of hydrogen on indium incorporation and surface accumulation in InAlN epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Surface structure; A1. Atomic force microscopy; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characteristics of CuInS2/ZnS quantum dots and its application on LED

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; B1. Nanomaterials; B2. Phosphors; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Computer simulation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of single phase GeMnTe with high ferromagnetic transition temperature

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurites; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical characterization of isoelectronic ZnSe1−xOx semiconductors

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Ga and In incorporation rates in Ga1−xInxAs growth by chemical beam epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MOVPE of CuGaSe2 on GaAs in the presence of a CuxSe secondary phase

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Diffusion; A1. Secondary phases; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. CuGaSe2; B1. Selenides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic modeling of bulk ternary alloy crystal growth: Comparison of experiments and theory for GaInSb alloys

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Growth models; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular simulation predictions of miscibility characteristics and critical exponents in compound semiconductors

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Computer simulation; A1. Phase diagrams; A1. Solid solutions; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Long wavelength infrared detection using amorphous InSb and InAs0.3Sb0.7

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Polycrystalline deposition; B1. Antimonides; B1. Arsenates; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1−xInxN ternary alloy on GaN templates

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Compositionally-graded InGaAs–InGaP alloys and GaAsSb alloys for metamorphic InP on GaAs

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Line defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Alloys; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effects of varying metal precursor fluxes on the growth of InAlN by metal organic vapour phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Synthesis of LiGaO2 nanocrystals and their application toward bright UV emission from ZnO quantum dots

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Nanostructures; A1. Quantum dots; B1. Nanomaterials; B1. Zinc oxide; B2. Phosphors; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electron backscatter diffraction analysis of a CZT growth tip from a vertical gradient freeze furnace

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Growth models; A2. Gradient freeze technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Sb surfactant-mediated growth of strained InGaAs multiple-quantum wells by metalorganic vapor phase epitaxy at low growth temperatures

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Linear dependency of Al-mole fraction with group-III precursor flows in AlxGa1−xN (0≤x≤1) deposition by LP OMVPE

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A3. Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low temperature growth of Ga1−xInxP bulk crystals from InSb-rich melt

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Phase diagrams; A1. Solid solutions; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting III-V compounds; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Crystal growth of bulk ternary semiconductors: Comparison of GaInSb growth by horizontal Bridgman and horizontal traveling heater method

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Segregation; A2. Growth from melt; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Defects; A1. Crystal structure; A2. Growth from melt; B1. Phosphides; B2. Nonlinear optical materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Thermal treatment-dependent chemical composition of ternary CdS1−xSex nanocrystals grown in borosilicate glass

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting cadmium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.15.Hi; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystallization of In-Se/CuInSe2 thin-film stack by sequential electrodeposition and annealing

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A2. Electrochemical growth; B2. Semiconducting indium compound; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Metastability of Zn1−xMgxO/Cu(In,Ga)Se2 solar cells with different conduction band offset values

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 84.60.Jt; B2. Semiconducting quaternary compounds; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of ZnIn2Se4 buffer layer on CuInSe2 thin films

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 68.35.Fx; 68.37.XyA1. Diffusion; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of CuScO2 epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.15.Fg; 81.15.Np; 73.61.Le; A1. Characterization; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improving photoluminescence of highly strained 1.32 μm GaAsSb/GaAs multiple quantum wells grown on misorientation substrate

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth and characterization of ZnGeP2 single crystals by the modified Bridgman method

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.10.Fq; 42.70.Mp; 61.05.Cp; 81.70.FyA1. Characterization; A2. Single crystal growth; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Formation of Zn-doped CuInSe2 films by thermal annealing using dimethylzinc

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 73.20.At; 73.30.+y; 73.40.LqA1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of strained GaAs1−ySby/GaAs (y>0.4) quantum wells by MOVPE

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Compositional analysis of In-rich InGaN layers grown on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 64.75.+g; 78.55.Cr; 81.15.Gh; 81.70.JbA1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; A1. Surface processes; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Relaxation of compressively strained AlInN on GaN

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 81.05.Ea; 82.80.Yc; 61.85.+p; 61.10.NzA1. Characterization; A1. Stresses; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of CuGaSe2 layers grown by the hot wall epitaxy method

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 68.60.−p; 78.20.−e; 78.55.−m; 81.15.−zA1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 78.30.−j; 63.20.−e; 63.20.Pw; 81.15.KkA1. Compositional analysis; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. MOVPE; B1. GaAsN alloys; B1. III–V-nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of thick AlxGa1−xN ternary alloy by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی; 61.10.Nz; 61.66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه