دانلود مقالات ISI درباره B3 دیودهای نوری + ترجمه فارسی

Study of green light-emitting diodes grown on semipolar (11–22) GaN/m-sapphire with different crystal qualities

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Spray pyrolysis synthesis of MAl2O4:Eu2+ (M=Ba, Sr) phosphor for UV LED excitation

Keywords: B3 دیودهای نوری; B1. Alloy; B2. Phosphors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Luminous properties of Sr1−xZnxSe:Eu2+ phosphors for LEDs application

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Doping; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Rare earth compounds; B2. Phosphors; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characteristics of CuInS2/ZnS quantum dots and its application on LED

Keywords: B3 دیودهای نوری; B1. Nanomaterials; B2. Phosphors; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effects of zinc on the characteristics of (Zn,Ca)TiO3:Pr3+ phosphors

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Crystal structure; A1. Doping; A1. Solid solutions; B1. Oxides; B2. Phosphors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of Al2O3 additions on the crystallization mechanism and properties of diopside/anorthite hybrid glass-ceramics for LED packaging materials

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Crystallites; A1. X-ray diffraction; B1. Glasses; B1. Nanomaterials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Temperature dependent photoluminescence studies of ZnO thin film grown on (1 1 1) YSZ substrate

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Characterization; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study on photoluminescence of GaN-based UV-LEDs with refractive index gradient polymeric nanopatterns

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Nanostructures; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InGaN/GaN blue light emitting diodes using Al-doped ZnO grown by atomic layer deposition as a current spreading layer

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Doping; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Preparation of zinc sulfide nanocrystallites from single-molecule precursors

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; B1. Zinc compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Application of electrolytic in-process dressing (ELID) grinding and chemical mechanical polishing (CMP) process for emerging hard–brittle materials used in light-emitting diodes

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Synchrotron X-ray diffraction studies of heteroepitaxial ZnO films grown by pulsed laser deposition

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of m-plane GaN substrate miscut on InGaN/GaN quantum well growth

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Strain variation in p-GaN by different spacer layers in the light emitting diodes and their microstructural and emission behaviors

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of Zn-doped GaN crystals by simultaneous carbothermal reduction and nitridation of Ga2O3 and ZnO

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Doping; A2. Growth from vapor; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial ZnO nano hexagons on p-type SiC

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.16.−c; 81.07.−b; 61.46.Km; 68.37.Lp; 78.67.−nA1. Crystal structure; A1. Nanostructures; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of carrier gas and substrate misorientation on the structural and optical properties of m-plane InGaN/GaN light-emitting diodes

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimization of hydrothermal growth ZnO Nanorods for enhancement of light extraction from GaN blue LEDs

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A2. Hydrothermal crystal growth; B3. Light emitting diodes; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revised Erratum to “Key inventions in the history of nitride-based blue LED and LD” Isamu Akasaki [J. Crystal Growth 300 (2007) 2-10]

Keywords: B3 دیودهای نوری; 71.55.Eq; 78.60.Fi; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.Kk; 85.60.q; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Chemically assisted vapour transport for bulk ZnO crystal growth

Keywords: B3 دیودهای نوری; A2. Growth from vapour; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Characterization of GaInN/GaN layers for green emitting laser diodes

Keywords: B3 دیودهای نوری; 68.65.Ac; 68.65.Fg; 78.55.Et; 81.15.Gh; 85.60.Jb; 42.55.PxA1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrical properties and optical bandgaps of AlInN films by reactive sputtering

Keywords: B3 دیودهای نوری; 78.66.Fd; 73.61.Ey; 72.80.EyA3. Poly crystalline deposition; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effect of the low-mole InGaN structure and InGaN/GaN strained layer superlattices on optical performance of multiple quantum well active layers

Keywords: B3 دیودهای نوری; 77.65.Ly; 78.66.FdA1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Emission and microstructural behaviors in the InGaN/GaN MQWs with the p-GaN layers grown at different growth temperatures

Keywords: B3 دیودهای نوری; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 73.40.Kp; 78.60.FiA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Red to orange electroluminescence from InP/AlGaInP quantum dots at room temperature

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Characterization; A3. MOVPE; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V Materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A novel one-pot route for the synthesis of water-soluble cadmium selenide nanoparticles

Keywords: B3 دیودهای نوری; 71.55.Gs; 87.35.J; 73.63.Kv; 68.37.Og; 63.37.Lp; 61.82.RxA1. Biomaterials; A1. Nanomaterials; A1. Surface structure; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InGaN/GaN multi-quantum well and LED growth on wafer-bonded sapphire-on-polycrystalline AlN substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 85.60.Jb; 81.05.Je; 68.60.Dv; 68.35.CtA1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

Keywords: B3 دیودهای نوری; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvement of efficiency and ESD characteristics of ultraviolet light-emitting diodes by inserting AlGaN and SiN buffer layers

Keywords: B3 دیودهای نوری; 61.72.Ff; 81.15.Gh; 73.61.Ey; 68.37.HkA1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of 380-nm InGaN/AlGaN LEDs grown on patterned sapphire substrates

Keywords: B3 دیودهای نوری; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 81.15.Gh; 81.65.CfA1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitride; B1. Patterned sapphire substrate; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Identification of subsurface damage in freestanding HVPE GaN substrates and its influence on epitaxial growth of GaN epilayers

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.05.Ea; 81.65.Ps; 71.55.−iA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence in sol–gel-derived YAG:Ce phosphors

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. Characterization; A1. Crystallites; A2. Growth from solutions; B2. Phosphors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of luminescence from β-FeSi2 particles embedded in silicon, with high temperature silicon buffer layer

Keywords: B3 دیودهای نوری; 73.61.Cw; 78.20.−e; 78.60.Fi; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Iron disilicide; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of blue GaN LED structures on 150-mm Si(1 1 1)

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.40.Lm; 78.55.−m; 61.10.NzA1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

ZnO hexagonal prisms grown onto p-Si (1 1 1) substrate from poly (vinylpyrrolidone) assisted electrochemical assembly

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.15.Pq; 81.05.Dz; 78.55.EtA2. Growth from solutions; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth of highly strained InGaPN/GaPN quantum well with high indium content

Keywords: B3 دیودهای نوری; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of high purity GaN nanowires

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.10.Aj; 81.15.GhA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

InGaAsN on GaAs (1 1 1)B for telecommunication laser application

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.05.Ea; 78.30.Fs; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of electroluminescence quenching in the InGaN/GaN blue diode with multi-quantum barrier structure

Keywords: B3 دیودهای نوری; 78.60.Fi; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A3. Multi-quantum wells; A3. Multi-quantum barrier; B1. InGaN; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Early stage growth behavior of laser-deposited heteroepitaxial ZnO films on Al2O3 (0 0 0 1)

Keywords: B3 دیودهای نوری; 68.55.Jk; 61.10.Nz; 81.15.Fg; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Early stage growth behavior of ZnO nanoneedle arrays on Al2O3 (0 0 0 1) by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B3 دیودهای نوری; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 78.67.−n; 79.60.Jv; 81.07.Bc; 81.15.Gh; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InGaN laser diodes and high brightness light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دیودهای نوری; 42.55.Px; 81.15.Hi; 85.60.Jb; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature-induced morphological changes of ZnO grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B3 دیودهای نوری; 68.55.−a; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal growth technology CGT for energy: saving energy and renewable energy

Keywords: B3 دیودهای نوری; B1. Nitrides; B2. Nonlinear optic materials; B2. Superconducting materials; B3. Light emitting diodes; B3. Solar cells; B3. Solid state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of post-annealing temperature on structural, optical, and electrical properties of ZnO and Zn1−xMgxO films by reactive RF magnetron sputtering

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.15.Cd; 81.20.Zx; 81.40.E; A1. Annealing; A3. Sputtering; B2. ZnO/ZnMgO; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of silicon doping on the nanostructures of InGaN/GaN quantum wells

Keywords: B3 دیودهای نوری; 68.37.−d; 78.45.+h; 78.55.Cr; 78.60.Hk; A1. Segregation; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Bandgap engineering of electronic and optoelectronic devices on native AlN and GaN substrates: A modelling insight

Keywords: B3 دیودهای نوری; 81.05.Ea; 85.60.Bt; 85.30.Tv; 85.60.Jb; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه