Keywords: سرعت اچینگ; Plasma enhanced atomic layer deposition; Silicon dioxide; Di-isopropylaminosilane; Oxygen plasma; Growth per cycle; Wet etching; Etching rate;
مقالات ISI سرعت اچینگ (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: سرعت اچینگ; RIE; Poly (cyclohexene carbonate); Etching rate; Anisotropy;
Keywords: سرعت اچینگ; Laser induced damage; HF etching; Fused silica; Metallic contamination; Etching rate;
Keywords: سرعت اچینگ; HMDSN; PIII; XPS; Etching rate; Wettability;
Keywords: سرعت اچینگ; Patterned sapphire substrate; Wet etching; Crystallographic planes; Etching zones; Etching rate;
Keywords: سرعت اچینگ; Silicon nanowires (SiNWs); Metal assisted chemical etching (MACE); Gas emissions; Nanoparticle; Etching rate;
On the relationships between plasma chemistry, etching kinetics and etching residues in CF4+C4F8+Ar and CF4+CH2F2+Ar plasmas with various CF4/C4F8 and CF4/CH2F2 mixing ratios
Keywords: سرعت اچینگ; CF4; C4F8; CH2F2; Etching rate; Etching selectivity; Polymerization;
The effects of ultrasound frequency and power on the activation energy in Si–KOH reaction system
Keywords: سرعت اچینگ; Si–KOH; Etching rate; Ultrasonic irradiation; Activation energy
Dry etching characteristics of Mo and Al2O3 films in O2/Cl2/Ar inductively coupled plasmas
Keywords: سرعت اچینگ; Thin films; Molybdenum; Aluminum oxide; Etching rate; Etching mechanism; Plasma model; Inductively coupled plasma
First principles study of Si etching by CHF3 plasma source
Keywords: سرعت اچینگ; Etching rate; Si surface etching; Density functional theory; Nudge-elastic-band (NEB);
Influence of jet-to-substrate distance on plasma etching of polyamide 6 films with atmospheric pressure plasma
Keywords: سرعت اچینگ; 52.40.Hf; 81.05.Lg; 81.65.Mq; Polyamide 6 film; Atmospheric pressure plasma jet (APPJ); Etching rate; Influence; Distance;
Modification of surface properties of polyamide 6 films with atmospheric pressure plasma
Keywords: سرعت اچینگ; Atmospheric pressure plasma; Polyamide 6; Etching rate; AFM; XPS; T-peel strength;
Characterization of reactive ion etching of benzocyclobutente in SF6/O2 plasmas
Keywords: سرعت اچینگ; Anisotropy; Benzocyclobutene (BCB); Etching rate; Residue; RIE; Sulfur hexafluoride
Etching characteristic for tracks of multicharged ions in polymer
Keywords: سرعت اچینگ; 61.81.jh; 61.82.pv; 79.20; Multicharged ion; Energy loss; Etching rate; Charge exchange process; Polymer;
Effect of magnesium in KOH solution on the anisotropic wet etching of silicon
Keywords: سرعت اچینگ; Silicon; Wet etching; Magnesium; Etching rate; Surface roughness
Wet and dry etching of La0.67(Sr,Ca)0.33 MnO3 films on Si
Keywords: سرعت اچینگ; 85.40. Hp lithography, mask and pattern transferColossal magnetoresistors; Etching rate; Si; KOH; BHF; Ar ion beam
Influence of uranium enrichment on the etching rate of polycarbonate fission track detector containing uranium particles
Keywords: سرعت اچینگ; 29.40.Wk; 25.85.EcFission track detector; Polycarbonate; Weight loss; Etching rate; Enrichment; Uranium particles
Domain characteristics and chemical bonds of lithium niobate
Keywords: سرعت اچینگ; Domain switching; Domain shape; Etching rate; Chemical bonds; Lithium niobate;
Influence of UV light illumination on latent track structure in PET
Keywords: سرعت اچینگ; 61.82.Pv; 61.80.Jh; 61.80.Ba; Polyethyleneterephthalate (PET); Ion track; UV light sensitization; Etching rate;