دانلود مقالات ISI درباره ترانزیستور دو قطبی Heterojunction + ترجمه فارسی

Investigation of proton irradiation effects on InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Proton irradiation; Heterojunction bipolar transistors; InP/InGaAs; DC characteristics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Three-dimensional InP-DHBT on SiGe-BiCMOS integration by means of Benzocyclobutene based wafer bonding for MM-wave circuits

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Indium phosphide; Monolithic integrated circuits; Three-dimensional integrated circuits; Wafer bonding; Wafer scale integration

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

80 ns/45 GHz Pulsed measurement system for DC and RF characterization of high speed microwave devices

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Pulsed I/V measurements; Heterojunction bipolar transistors; Electro-thermal characterisation; Semiconductor device modelling; Thermal impedance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

An analytic procedure for extraction of metallic collector-up InP/InGaAsP/InGaAs HBT small signal equivalent circuit parameters

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Small signal equivalent circuit; Parameters extraction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparative technology assessment of future InP HBT ultrahigh-speed digital circuits

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; InP; GaAsSb; Type-II DHBT; 2D hydrodynamic simulations; Digital ICs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Ohmic contacts to p-type InAs

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Ohmic contacts; InAs; Heterojunction bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Efficient optimization of InGaAs and SiGe RF HBTs with a mixed-mode genetic-algorithm technique

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; 71.10.−w; 71.20.Nr; 72.30.+q; 85.30.Pq; Genetic algorithm; Heterojunction bipolar transistors; InGaAs; Mixed-mode optimization; SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Extraction of small-signal equivalent circuit model parameters for Si/SiGe HBT using S-parameters measurements and one geometrical information

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Microwave devices; Modeling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fabrication of high-speed InP/InGaAs/InP DHBT with a new self-aligned metallization technique for reduced base resistance

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Self-aligned base metallization; Base resistance; High-speed devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High performance InP/InAlAs/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Spacer layer; GaAsSb; InAlAs; Compound semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Design guideline for high-speed InP/InGaAs SHBT using a practical scaling law

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Collector–base capacitance; Base resistance; High-speed; Scaling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A simple large signal model for III–V HBT devices exceeding VBIC performances

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; Large signal modeling; VBIC

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A physical hydrodynamic 2D model for simulation and scaling of InP/InGaAs(P) DHBTs and circuits with limited complexity

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; Heterojunction bipolar transistors; InP; Hydrodynamic 2D simulation; Scalable model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Photoluminescence investigation of Be-doped Npn AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor structures

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; 78.55.Cr; 78.55.−m; 81.15.Ef; Heterojunction bipolar transistors; Molecular beam epitaxy; Be outdiffusion; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of spacer layer on InP/InGaAs δ-doped heterojunction bipolar transistors

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; InP/InGaAs; δ-Doped; Heterojunction bipolar transistors; Spacer; Offset voltage; Potential spike; Recombination current;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improved modeling and parameter-extraction procedure emphasizing on extrinsic inductances and base-collector capacitances of collector-up HBTs

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; 71.10.−w; 71.20.Nr; 72.30.+q; 85.30.Pq; Device modeling; Equivalent-circuit parameters; Heterojunction bipolar transistors; Parameter extraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The influence of a δ-doped sheet on DC performances of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors

Keywords: ترانزیستور دو قطبی Heterojunction; δ-doped; InP/InGaAs; Heterojunction bipolar transistors; Potential spike; Recombination current; Offset voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه