کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749729 | 894845 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficient optimization of InGaAs and SiGe RF HBTs with a mixed-mode genetic-algorithm technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An efficient genetic-algorithm-based (GA-based) technique for modeling and analysis of RF heterojunction bipolar transistors (HBTs) has been successfully established. This mixed-mode optimization method focuses on complementing the GA with a set of generalized analytic-modeling equations (GAMEs), requiring no special assumptions, to effectively extract small-signal parameters. Over a wide range of biasing conditions, consistent results between the GA-derived and measured S-parameters on the pnp InGaAs collector-up HBT as well as npn SiGe HBTs, which can be used in small high-power amplifiers for mobile communication systems, clearly demonstrate the superiority of the proposed approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 5, May 2006, Pages 853-857
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 5, May 2006, Pages 853-857
نویسندگان
H.C. Tseng,