دانلود مقالات ISI درباره Inaln + ترجمه فارسی

Structural, morphological, electrical and optical properties of amorphous InxAl1-xN thin films for photovoltaic applications

Keywords: InAlN; Indium and aluminum nitride; Thin film solar cells; Group III nitrides; Amorphous semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs

Keywords: GaN; AlGaN; InAlN; HEMT; MIS; MOS; Surface passivation; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Investigation of efficiency enhancement in InGaN MQW LED with compositionally step graded GaN/InAlN/GaN multi-layer barrier

Keywords: InAlN; GaN/InGaN; Light emitting diode (LED); Multiple quantum well (MQW); Multi-layer barrier (MLB); Quantum well;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact

Keywords: InAlN; Ohmic; Schottky; High-electron-mobilitytransistor (HEMT);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Interface traps at Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMT -on- 200 mm Si

Keywords: 2 Dimensional electron gas (2DEG); Al2O3; Dit; GaN; G/ω; InAlN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Cross-correlation based high resolution electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging for strain mapping and dislocation distributions in InAlN thin films

Keywords: EBSD; ECCI; Dislocations; InAlN; HEMTs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Nucleation and core-shell formation mechanism of self-induced InxAl1−xN core-shell nanorods grown on sapphire substrates by magnetron sputter epitaxy

Keywords: InAlN; Nanorods; Nanostructures; STEM; EDX; Sputtering; MSE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Intersubband absorption coefficients of GaN/AlN and strain-compensated InGaN/InAlN quantum well structures

Keywords: Photodetector; Intersubband; GaN; InGaN; InAlN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of film thickness on the surface, structural and electrical properties of InAlN films prepared by reactive co-sputtering

Keywords: III-nitride; InAlN; Thickness variations; Nanomaterial; Surface; Resistivity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

N2O treatment enhancement-mode InAlN/GaN HEMTs with HfZrO2 High-k insulator

Keywords: InAlN; GaN; HEMTs; E-mode; HfZrO2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of the barrier composition in GaN/InxAl1−xN quantum wells properties

Keywords: A1. MOVPE; A3 Quantum wells; B2. Photoluminescence; InAlN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Enhanced UV luminescence from InAlN quantum well structures using two temperature growth

Keywords: InAlN; Quantum well; Photoluminescence; Carrier localization; Stokes shift;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electron energy loss near edge structure of InxAl1−xN alloys

Keywords: EELS; ELNES; InAlN; Structural and electronic properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Time delay analysis in high speed gate-recessed E-mode InAlN HEMTs

Keywords: Time delay analysis; HEMT; E-mode; InAlN; GaN; Transistor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivation

Keywords: Field effect transistor; Heterostructure; High electron mobility transistor; Metal oxide semiconductor high electron mobility transistor; Thin oxide film; Annealing; Temperature treatment; Forming gas; GaN; InAlN; Al2O3; Processing; Current collapse; Gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering

Keywords: 78.66.Fd; 78.40.Fy; 81.15.Cd; semiconducting III-V materials; InAlN; optical properties; magnetron sputtering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical simulation of novel ultrathin barrier n-GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT structures: Effect of indium-mole fraction, doping and layer thicknesses

Keywords: InAlN; AlInN; Ultrathin barrier; HEMT; Schrödinger; Poisson; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High-quality InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: GaN; InAlN; Heterostructures; Nitride semiconductor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Blue cathodoluminescence from thulium implanted AlxGa1−xN and InxAl1−xN

Keywords: Rare earth; GaAlN; InAlN; Implantation; Cathodoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه