دانلود مقالات ISI درباره حالت های رابط + ترجمه فارسی

The analysis of the series resistance and interface states of MIS Schottky diodes at high temperatures using I–V characteristics

Keywords: حالت های رابط; MIS Schottky diodes; I–V characteristics; Ideality factor; Barrier height; Interface states; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrical characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes with and without SiO2 insulator layer at room temperature

Keywords: حالت های رابط; 73.30.+y; 73.40.Qv; 73.40.NsAu/GaAs, Au/SiO2/GaAs Schottky diodes; I–V and C–V characteristics; Insulator layer; Interface states; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Understanding negative bias temperature instability in the context of hole trapping (Invited Paper)

Keywords: حالت های رابط; Negative bias temperature instability; Reliability; Modeling hole trapping; Oxide charges; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Analysis of frequency- and temperature-dependent interface states in PtSi/p-Si Schottky diodes

Keywords: حالت های رابط; Schottky contacts; Interface states; Conductance method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electronic properties of (1 0 0)Ge/Ge(Hf)O2 interfaces: A first-principles study

Keywords: حالت های رابط; Density functional calculations; Semiconductor-insulator interfaces; Interface states; Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature dependence characterization of metal-insulator-nonuniformly-doped semiconductor solar cell

Keywords: حالت های رابط; MIS solar cell; Nonuniform doping profile; Temperature dependence; J-V characteristics; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Photoelectron spectroscopic studies of ultra-thin CuPc and PTCDA layers on Cu(1 0 0)

Keywords: حالت های رابط; CuPc; PTCDA; Photoemission; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of thick SiO2/Si structure formed at 120 Â°C by use of two-step nitric acid oxidation method

Keywords: حالت های رابط; Low-temperature oxidation; Nitric acid oxidation; Silicon; SiO2; Interface states; Hydrogen treatment; Metal-oxide-semiconductor (MOS);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Challenges in SiC power MOSFET design

Keywords: حالت های رابط; Silicon carbide; Power MOSFET; Interface states; Hard-switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Laser on porous silicon after oxidation by irradiation and annealing

Keywords: حالت های رابط; 68.35.−p; 61.43.BnStimulated emission; Oxide structure of silicon; Laser irradiation; Annealing; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Bias dependent charge trapping in MOSFETs during 1 and 6 MeV electron irradiation

Keywords: حالت های رابط; 61.80.Lj; 85.30.Tv; 73.40.−c; 34.50.Bw; Interface states; Oxide states; Energy loss mechanism; MeV energy electrons;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Calculation from the current–voltage and capacitance–voltage measurements of characteristics parameters of Cd/CdS/n-Si/Au-Sb structure with CdS interface layer grown on n-Si substrate by SILAR method

Keywords: حالت های رابط; SILAR method; MIS structure; CdS; Schottky diode; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of interface states at Au/SnO2/n-Si (MOS) structures

Keywords: حالت های رابط; MOS structures; C-V and G/ω-V characteristics; Interface states; Series resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of electrical characteristics of Au/SiO2/n-Si (MOS) capacitors using the high–low frequency capacitance and conductance methods

Keywords: حالت های رابط; MOS capacitor; Surface potential; Interface states; High–low frequency capacitance method; Conductance method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of interface states and series resistance of MIS Schottky diodes using the current–voltage (I–V) characteristics

Keywords: حالت های رابط; MIS Schottky diodes; I–V characteristics; Ideality factor; Barrier height; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The temperature profile and bias dependent series resistance of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures

Keywords: حالت های رابط; MFIS structure; C–V measurements; Temperature dependence; Interface states; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of γ-ray irradiation on the C–V and G/ω–V characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures

Keywords: حالت های رابط; 61.80.−x; 73.40.Qv; 84.37.+q; 73.20.−rγ-ray effects; Schottky diodes; C–V and G/ω–V characteristics; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Nitrogen adsorption phases on the 4H-SiC(0 0 0 1) Si-face

Keywords: حالت های رابط; Density functional calculations; Chemisorption; Growth; Interface states; Surface structure; SiC; Nitrogen;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The interface states analysis of the MIS structure as a function of frequency

Keywords: حالت های رابط; MIS structure; Ideality factor; Barrier height; Interface states; Relaxation time; Frequency dependence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structure using I–V, C–V and G/ω–V measurements

Keywords: حالت های رابط; 73.30.+y; 73.40.Qv; 73.40.NsMS structure; Frequency dependent; Interface states; Series resistance; Pd2Si/n-Si contacts

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

On the temperature dependence of series resistance and interface states in Al/SiO2/p-Si (MIS) Schottky diodes

Keywords: حالت های رابط; C–V–T and G/w–V–T measurements; MIS structure; Temperature dependence; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The profile of temperature and voltage dependent series resistance and the interface states in (Ni/Au)/Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

Keywords: حالت های رابط; Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures; Temperature dependence; Series resistance; Interface states; Nitride passivation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

On the energy distribution of interface states and their relaxation time and capture cross section profiles in Al/SiO2/p-Si (MIS) Schottky diodes

Keywords: حالت های رابط; Interface states; Relaxation time; Capture cross section; High–low frequency; Capacitance method; Conductance method; Insulator layer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Interface models and processing technologies for surface passivation and interface control in III-V semiconductor nanoelectronics

Keywords: حالت های رابط; 81.05.Ea ;81.65.Rv ;73.20.At; 74.40.Qv; Compound semiconductors; Surface passivation; Band alignment; Fermi level pinning; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Interface effects in spin-polarized metal/insulator layered structures

Keywords: حالت های رابط; Magnetic tunnel junctions; Interface states; Spin polarization; Multiferroics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Proton radiation tolerance of nanocrystal memories

Keywords: حالت های رابط; 78.67.Bf; 07.89.+b; 61.82.Ms; 85.30.Tv; 61.82.RxProton radiation; Silicon nanocrystals; Nanocrystal memory; Retention; Charge loss mechanism; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A unified model for metal/organic interfaces: IDIS, 'pillow' effect and molecular permanent dipoles

Keywords: حالت های رابط; 73.30.+y; 71.20.Rv; 73.61.Ph; Metal/organic interface; Change neutrality level; Energy level alignment; Fermi level pinning; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of beta-ray irradiation on the C–V and G/ω–V characteristics of Au/SiO2/n-Si (MOS) structures

Keywords: حالت های رابط; 61.80.−x; 73.40.Qv; 84.37.+q; 73.20.−rβ-ray effects; MOS structures; C–V and G/ω–V characteristics; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Molecular level alignment and work function change of dimethyl-disulfide physisorbed thin films on Au(1 1 1)

Keywords: حالت های رابط; Thiols; Self assembled monolayers; Work function; Interface states; Molecular electronics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

60Co γ-ray irradiation effects on the capacitance and conductance characteristics of tin oxide films on Si

Keywords: حالت های رابط; 61.80.Ed; 61.80.−x; 72.20.−i; 73.20.At; 73.40.Qv; 84.37.+qSchottky diode; SnO2; 60Co γ-ray; C–V; G–V; Interface states; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Near infrared absorption of Si nanoparticles embedded in silica films

Keywords: حالت های رابط; Photon absorption spectroscopy; Silicon; Nanostructures; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The electrical properties of metal-oxide-semiconductor devices fabricated on the chemically etched n-InP substrate

Keywords: حالت های رابط; Schottky barrier diode; Compound semiconductor; Metal-interfacial-layer-semiconductor; X-ray photoemission electron spectra; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H–SiC pre-implanted with nitrogen

Keywords: حالت های رابط; MOS capacitors; Nitrogen implantation; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A comprehensive four parameters I–V model for GaAs MESFET output characteristics

Keywords: حالت های رابط; GaAs MESFETs; Submicron device simulation; CAD simulator; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Rare earth oxides as high-k dielectrics for Ge based MOS devices: An electrical study of Pt/Gd2O3/Ge capacitors

Keywords: حالت های رابط; Germanium; Rare earth oxides; MBE; Electrical properties; Interface states; Bulk states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Gas sensor applications of porous Si layers

Keywords: حالت های رابط; Porous silicon; Gas sensor; Interface states; Fermi-level pinning

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Current conduction mechanism in Al/p-Si Schottky barrier diodes with native insulator layer at low temperatures

Keywords: حالت های رابط; 73.30.+y: 73.40.Qv: 73.40.Ns; Series resistance; Interface states; Native insulator layer; Conduction mechanisms; I-V characteristics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis of interface states and series resistance at MIS structure irradiated under 60Co γ-rays

Keywords: حالت های رابط; 73.20.At; 73.30.+y; 73.40.Sx; 84.37.+q; 61.80.−x; 73.20.−r; γ-Ray effects; MIS structures; I-V characteristics; Interface states; Series resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The C–V–f and G/ω–V–f characteristics of Au/SiO2/n-Si capacitors

Keywords: حالت های رابط; 73.40.Qv; 61.80.−x; 73.20.−r; 84.37.+qMOS structure; Frequency dependence; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The effect of series resistance and oxide layer formed by thermal oxidation on some electrical parameters of Al/SiO2/p-Si Schottky diodes

Keywords: حالت های رابط; 73.20.−r; 73.30.+y; 73.40.Qv; Schottky diodes; MS structure; MIS structure; Thermal oxidation; Insulator layer; Interface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis of frequency-dependent series resistance and interface states of In/SiO2/p-Si (MIS) structures

Keywords: حالت های رابط; MIS Schottky diodes; C–V; G–V; Frequency dependence; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in Al0.24Ga0.76As/GaAs structures

Keywords: حالت های رابط; Barrier height inhomogeneity; Ideality factor; Interface states; Insulator layer

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of oxide thickness on the capacitance and conductance characteristics of MOS structures

Keywords: حالت های رابط; MOS schottky diodes; SnO2; C–V; G–V; Series resistance; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Induced Density of States model for weakly-interacting organic semiconductor interfaces

Keywords: حالت های رابط; 73.61.Ph; 73.30.+y; 68.43.BcCharge neutrality level; Interface states; Energy level alignment; Organic semiconductor; Fermi level pinning; Metal/organic interface; Organic/organic interface

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Determining weak Fermi-level pinning in MOS devices by conductance and capacitance analysis and application to GaAs MOS devices

Keywords: حالت های رابط; Interface states; Fermi-level pinning; MOS; Conductance; Capacitance; GaAs; III–V; Germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The electrical characteristics of Sn/methyl-red/p-type Si/Al contacts

Keywords: حالت های رابط; 73.61.Ph; 73.40.Lq; 73.40.Ei; 73.40.Qv; 73.40.Ty; 73.40.Rw; 73.40.Ns; 73.30.+y; 61.82.FkMetal-organic-semiconductor contacts; Schottky barrier; Heterojunction; Interfacial layer; Interface states; Capacitance-conductance characteristics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The barrier height distribution in identically prepared Al/p-Si Schottky diodes with the native interfacial insulator layer (SiO2)

Keywords: حالت های رابط; 73.40.Qv; 73.40.Sx; 84.37.+q; 61.80.−x; 73.20.−rBarrier height; Ideality factor; Interface states; Insulator layer; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Study of CVD high-k gate oxides on high-mobility Ge and Ge/Si substrates

Keywords: حالت های رابط; Germanium; Hafnium oxide; Hafnium germanate; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Frequency and voltage dependent surface states and series resistance of novel Si solar cells

Keywords: حالت های رابط; Solar cells; Frequency dependence; Voltage dependence; Interface states; Series resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The iron passive film breakdown in chloride media may be mediated by transient chloride-induced surface states located within the band gap

Keywords: حالت های رابط; Electrochemical tunneling spectroscopy; Electronic band structure; Fe passive film; Aqueous chloride corrosion; Semiconductor decomposition; Interface states

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه