آشنایی با موضوع

طیف سنجی جرم یون ثانویه (به انگلیسی: Secondary ion mass spectrometry) یا سیمس (به انگلیسی: SIMS) یک تکنیک مورد استفاده در علم مواد و علم بررسی مواد حالت جامد می‌باشد. سیمس، تکنیک تجزیه و تحلیل ترکیب سطوح جامد و لایه‌های نازک، توسط کندوپاش سطح نمونه با پرتو یون متمرکز اولیه و جمع‌آوری و تجزیه و تحلیل یونهای خارج ثانویه‌است. این یون ثانویه همراه با طیف‌سنج جرمی اندازه‌گیری می‌شود و برای تعیین ترکیب عنصری، ایزوتوپی یا مولکولی سطح کاربرد دارد. سیمس حساس‌ترین تکنیک تجزیه و تحلیل سطح است که قادر به تشخیص عناصر موجود در محدوده یک در میلیارد می‌باشد.
در این صفحه تعداد 345 مقاله تخصصی درباره طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; 68.35-p; 81.25-t; 78.70.En; 61.10.Kw; 68.49.SfMultilayer interferential mirrors; Diffusion; Molybdenum; Silicon; Silicide; Secondary ion mass spectrometry; X-ray reflectivity; X-ray emission spectroscopy
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; Organic photovoltaics; Polymer photovoltaics; Lifetimes; Oxygen isotopic labelling; Secondary ion mass spectrometry; TOF-SIMS; Degradation mechanism
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; 42.62.Eh; Arsenic; Ion implantation; Metrology; Low energy electron induced X-ray emission spectrometry; Secondary ion mass spectrometry; Angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; 52.77.Dq; 61.72.Tt; Plasma doping; P+/N ultra-shallow junctions; Boron; Transient enhanced diffusion; Ultra-low energy implanter; Secondary ion mass spectrometry; Buried marker-layers;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; 34.10.+x; 34.20.−b; 34.50.−s; 36.40.Qv; 61.80.Jh; 61.80.Lj; 61.82.Pv; 68.35.Ja; 68.49.−h; 79.20.Ap; 79.20.Rf; Sputtering; Particle-induced desorption; Molecular dynamics; Polymer; Molecular solid; Radiation damage; Molecular emission; Secondary ion
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویه; APCI; Atmospheric pressure chemical ionization; CAS; Chemical Abstracts Service; CE; Collision energy; CI; Chemical ionization; DNA; Deoxyribonucleic acid; EC; European Communities; EI; Electron ionization; EPA; Environmental Protection Agency; ESI; Elect