آرامسازی و بازسازی سطح

در این صفحه تعداد 872 مقاله تخصصی درباره آرامسازی و بازسازی سطح که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI آرامسازی و بازسازی سطح (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: آرامسازی و بازسازی سطح; Semi-empirical models and model calculations; Atomic force microscopy; Surface relaxation and reconstruction; Wetting; Silicon; Surface defects; Amorphous thin films; Insulating films;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: آرامسازی و بازسازی سطح; Single crystal surfaces; Surface relaxation and reconstruction; Scanning tunneling microscopy and spectroscopy; Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy; Germanium; Antimony;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: آرامسازی و بازسازی سطح; Low energy electron diffraction (LEED); Visible and ultraviolet photoelectron spectroscopy; Scanning tunneling microscopy; Scanning tunneling spectroscopy; Surface relaxation and reconstruction; Surface electrical transport (surface conductivity, surface
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: آرامسازی و بازسازی سطح; 68.35.−p; 68.35.Bs; 73.20.−r; 73.20.At; Auger electron spectroscopy; Low-energy electron diffraction; Scanning tunneling microscopy; Inverse photoemission spectroscopy; Surface relaxation and reconstruction; Indium phosphide;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: آرامسازی و بازسازی سطح; Medium energy ion scattering (MEIS); Ion-solid interactions, scattering, channeling; Surface relaxation and reconstruction; Surface structure, morphology, roughness, and topography; Metal-semiconductor interfaces; Silicon; Silicides; Yttrium;