کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10147995 | 1646511 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy](/preview/png/10147995.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we investigated the effects of the growth temperature and chlorine gas on the growth of thick GaN on an N-polar GaN substrate via tri-halide vapor phase epitaxy. The results revealed that free Cl2 is necessary for high-speed growth. When the growth temperature increases, the crystal quality improves, and a high growth rate and high crystalline quality can be simultaneously achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 502, 15 November 2018, Pages 7-13
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 502, 15 November 2018, Pages 7-13
نویسندگان
Nao Takekawa, Naoto Hayashida, Daisuke Ohzeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu,