کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10248922 | 49424 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface passivation for germanium photovoltaic cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surface passivation for germanium photovoltaic cells Surface passivation for germanium photovoltaic cells](/preview/png/10248922.png)
چکیده انگلیسی
Passivation of a germanium surface has proved to be challenging. Various materials have been examined for this purpose, like for example silicon nitride and amorphous silicon. In this work the optimisation of PECVD amorphous silicon and the influence of the preliminary surface treatment for passivation purposes are described. Furthermore, experiments done to extract the surface recombination velocity and the bulk lifetime of a germanium substrate will be presented. Optimisation of the deposition parameters, in combination with a pre-deposition in situ hydrogen plasma, results in a surface recombination velocity of 17Â cm/s on a lowly doped germanium substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 1, 15 June 2005, Pages 37-45
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 88, Issue 1, 15 June 2005, Pages 37-45
نویسندگان
N.E. Posthuma, G. Flamand, W. Geens, J. Poortmans,