کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10407001 | 892830 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vanadium doping patterns in ZnO lattices in the lattice compatibility theory framework
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We investigate vanadium doping patterns in ZnO thin films prepared by spray pyrolysis for different controlled concentrations (1-5%). Lattice-scale analyses are carried out in the lattice compatibility theory (LCT) framework. Differences in vanadium doping behaviors for different concentrations are discussed in terms of Urbach tailing and the Faraday effect, as well as the intrinsic lattice patterns of the doping agent.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1434-1438
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 16, Issue 6, December 2013, Pages 1434-1438
نویسندگان
D. Gherouel, S. Dabbous, K. Boubaker, M. Amlouk,